8GB Samsung DIMM DDR5-4800 CL40 (M323R1GB4BB0-CQK)

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Kapazität
Hersteller	Samsung, Samsung DDR5-RAM
Artikelnummer des Herstellers	M323R1GB4BB0-CQK
Markteinführung	28.01.2022
Arbeitsspeicher	8 GB
Konfiguration der Speicherriegel	1 Modul
Geschwindigkeit
Arbeitsspeicher-Typ	DDR5-4800
CAS latency (CL)	40
Ras to Cas delay (tRCD)	40
Row Precharge (tRP)	40
Precharge delay (tRAS)	77
Speicheraufbau
Anzahl der RAM-Module	1
Spannung	1,1 Volt
Speicher Sockel	DIMM
Ausstattung
Besonderheiten	Intel Extreme Memory Profiles (XMP) • on-die ECC
Speicherhöhe	3,2 cm
Aufbau des Riegels	Single-Rank
JEDEC-Norm	DDR5-4800 / PC5-38400 @1.1 V
Weiteres
Heatspreader	-
Variante	CL40-40-40-77
Herstellergarantie	2 Jahre
Produktseite beim Hersteller	(besseren Produktlink vorschlagen)
Quelle	HardwareSchotte.de
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